Specifiche tecniche delle tecnologie sottoposte a divieto o limitazioni all’esportazione dalla Cina (AI, Biomedicina, Fotovoltaico)

(1) tasso di successo dell’attacco ≥ 60% contro rilevatori di malware multimotore;

(2) tasso di successo dell’attacco ≥ 85% contro un singolo antivirus tra i più diffusi;

(3) tasso di successo dell’attacco ≥ 90% contro modelli di machine learning.

2. Tecnologie di evoluzione adattiva all’ambiente ostile e di modifica dinamica del comportamento a runtime, con almeno una delle seguenti caratteristiche e che possano essere usate per attaccare sistemi altamente sensibili come le infrastrutture informative critiche nazionali, la difesa e l’industria militare, i servizi governativi essenziali, o per aggirare il sistema di difesa della sicurezza nazionale:

(1) capacità di rilevare sandbox virtualizzate, debugger ed emulatori e di riconoscere tipo e versione dei prodotti di sicurezza, oppure di realizzare l’evasione dalla sandbox;

(2) a ogni esecuzione, riscrittura automatica di almeno il 50% della struttura del codice o del flusso di controllo, mantenendo intatta la funzione malevola.

3. Tecnologie di generazione in serie di varianti in grado di eludere i sistemi di rilevamento e di distribuzione automatizzata su larga scala, con almeno una delle seguenti caratteristiche e che possano essere usate per attaccare sistemi altamente sensibili come le infrastrutture informative critiche nazionali, la difesa e l’industria militare, i servizi governativi essenziali, o per aggirare il sistema di difesa della sicurezza nazionale:

(1) generazione in un’unica volta di almeno 20 varianti funzionalmente equivalenti ma strutturalmente diverse, oppure tasso di automazione end-to-end ≥ 80%;

(2) a partire da un unico payload di base, generazione di oltre 10 varianti ogni 24 ore con differenza dell’albero sintattico ≥ 30%;

(3) coerenza del profilo comportamentale in sandbox di un campione di varianti ≥ 90%.

Nota: l’ambito dei “dati core” è stabilito da leggi e regolamenti pertinenti, tra cui la Legge della Repubblica Popolare Cinese sulla sicurezza dei dati.

Nota: per “alte prestazioni” si intende il raggiungimento dei parametri di controllo della tecnologia limitata sugli agenti di IA (codice 266505X).

8. Tecnologie di fabbricazione di sistemi e apparecchiature di rilevamento di video, audio, immagini o informazioni multimodali generati con sintesi profonda, con accuratezza e recall ≥ 98%.

9. Tecnologie di steganografia e di estrazione per informazioni video e immagine che soddisfino contemporaneamente le seguenti caratteristiche:

(1) elevata robustezza: tasso di errore sui bit ≤ 0,5% oppure recall ≥ 99,9%;

(2) basso tasso di falsi allarmi: tasso di falsi positivi (FPR) ≤ 0,1%;

(3) elevata impercettibilità: indice di similarità strutturale (SSIM) ≥ 0,999, oppure rapporto picco segnale-rumore (PSNR) ≥ 41 decibel, oppure similarità percettiva delle patch d’immagine (LPIPS) ≤ 0,005.

6. Tecnologie di individuazione delle vulnerabilità assistita dall’IA con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) nei benchmark di sicurezza autorevoli, punteggio ≥ 75% nella riproduzione delle vulnerabilità o nella valutazione della loro sfruttabilità;

(2) per vulnerabilità pubbliche note, tasso di successo end-to-end, in piena autonomia, dall’analisi della vulnerabilità alla costruzione di una catena di exploit completa: ≥ 50% per i principali sistemi operativi o browser, oppure ≥ 40% nella costruzione di exploit di livello esecuzione di codice arbitrario;

(3) efficienza di individuazione e sfruttamento delle vulnerabilità pari ad almeno 10 volte quella di riferimento di un esperto di sicurezza senior; oppure, nei benchmark sui database standard di vulnerabilità, un aumento di almeno 10 volte del numero di vulnerabilità sfruttabili scoperte;

(4) capacità di concatenare in autonomia due o più difetti software di gravità bassa o media in una catena d’attacco completa a più stadi e di generare codice proof of concept eseguibile;

(5) in un normale framework di test, capacità di scoprire in autonomia in una sola volta, in un importante progetto open source o in un sistema operativo diffuso, almeno 5 difetti di sicurezza gravi non ancora divulgati, oppure almeno 50 difetti di sicurezza non ancora divulgati;

(6) raggiungimento del livello massimo nei principali sistemi di classificazione della capacità di exploit, in Cina e all’estero.

19. Tecnologie di riconoscimento vocale basato sull’impronta vocale (voiceprint), comprendenti gli algoritmi di base, le tecniche anti-attacco e anti-contraffazione, i sistemi di riconoscimento e le tecniche di elaborazione e protezione dei dati voiceprint, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) tasso di veri positivi (TPR) ≥ 99,1% con tasso di falsi positivi (FPR) ≤ 0,01%, durata della voce di registrazione ≤ 30 secondi, durata della voce di test ≤ 10 secondi e rapporto segnale-rumore ≥ 20 decibel;

(2) latenza di elaborazione end-to-end di una singola verifica ≤ 300 millisecondi e throughput ≥ 100 richieste al secondo;

(3) tasso complessivo di rilevamento ≥ 98%, oppure tasso di falsa accettazione ≤ 1%, rispetto ad attacchi fraudolenti comuni come la riproduzione di registrazioni, la sintesi vocale e la conversione vocale;

(4) capacità di ottimizzazione specifica per il riconoscimento vocale delle lingue delle minoranze etniche o di particolari dialetti regionali, con accuratezza ≥ 90% in condizioni di test standard.

20. Tecnologie di traduzione dedicate o destinate principalmente al cinese e alle lingue delle minoranze etniche, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) punteggio medio di opinione (MOS) ≥ 4,8 nella valutazione umana su set di test standard;

(2) con fedeltà semantica della traduzione ≥ 95%, punteggio di similarità con la risposta di riferimento (BLEU) ≥ 35 per la traduzione di uso generale, oppure BLEU ≥ 30 per la traduzione in ambiti specialistici.

2. Tecnologie di base dei grandi modelli con almeno una delle seguenti caratteristiche, comprendenti pesi dei parametri, checkpoint chiave, codice sorgente sottostante, progettazione dell’architettura, nonché tecniche di ottimizzazione dell’addestramento e di accelerazione dell’inferenza:

(1) calcolo ≥ 10²⁶ operazioni in virgola mobile;

(2) numero di parametri ≥ 2.000 miliardi (20.000 “yi”, l’unità cinese pari a 100 milioni);

(3) capacità a livello leader mondiale.

Nota: ① Non rientra nell’ambito di gestione della voce 1 il caso in cui per l’addestramento siano stati usati solo dati importanti in quantità minima (≤ 0,1%), tali da non migliorare in modo sostanziale la capacità del modello di sviluppare tecnologie di base nell’ambito di quei dati, e siano state adottate misure di sicurezza come anonimizzazione e pulizia, così che i dati importanti non vengano riprodotti negli output; né il caso in cui i dati importanti in questione possano essere ottenuti pubblicamente in modo lecito. ② L’ambito dei “dati importanti” è stabilito da leggi e regolamenti pertinenti, tra cui la Legge della Repubblica Popolare Cinese sulla sicurezza dei dati. ③ Per “capacità a livello leader mondiale” si intende il collocarsi, nel momento in cui avviene l’attività di export, tra i primi 10 al mondo nelle valutazioni pubbliche condotte da enti di valutazione e piattaforme industriali su larga scala, in Cina e all’estero, su prestazioni complessive del modello, capacità in ambiti operativi specifici, volume di chiamate globale, prestazioni di sicurezza ed efficienza di addestramento.

2. Tecnologie di architettura di collaborazione multi-agente, con supporto di almeno 60 agenti che collaborano in parallelo e, a parità di risultato, tempo complessivo di completamento del compito non superiore a 2 volte il tempo minimo di un singolo agente, con tasso di coincidenza tra la conclusione finale dei multi-agenti e la risposta standard ≥ 85%.

3. Tecnologie di chiamata di strumenti e di operazione sui sistemi, con supporto per l’integrazione di almeno 200 strumenti di terze parti, precisione nella scelta degli strumenti ≥ 90% e, negli scenari in cui servono 3 o più strumenti per completare un compito, tasso medio di successo end-to-end ≥ 90%.

4. Tecnologie di IA per la decisione nei giochi strategici (game-theoretic decision-making) che presentino tutte le seguenti caratteristiche:

(1) profondità di pianificazione decisionale su un singolo compito ≥ 20 passi, oppure almeno 10 agenti in competizione simultanea;

(2) capacità di adattamento della strategia, con latenza decisionale in giochi complessi e dinamici ≤ 200 millisecondi e almeno 10 unità di controllo;

(3) risultati superiori a quelli del 90% degli esseri umani nei benchmark standard di gioco.

(1) richiedono processi di produzione a 14 nanometri o inferiori;

(2) capacità di calcolo in virgola mobile o su interi;

(3) adozione di tecnologie di integrazione con packaging avanzato 2.5D o 3D;

(4) capacità di interconnessione ad alta velocità;

(5) nuove architetture non von Neumann, come il calcolo in-memory o neuromorfico;

(6) applicabilità a scenari specifici come guida autonoma, visione artificiale e voce intelligente.

2. Tecnologie di progettazione di chip di memoria

(1) Tecnologie di progettazione di chip flash 3D con almeno una delle seguenti caratteristiche:

1) densità di memorizzazione ≥ 8 gigabit per millimetro quadrato (Gb/mm²);

2) velocità di I/O ≥ 1,5 gigabit al secondo (Gbps);

3) adozione della tecnologia di bonding.

(2) Tecnologie di progettazione di chip di memoria (RAM) con almeno una delle seguenti caratteristiche:

1) richiedono processi di produzione della memoria a 18 nanometri o inferiori;

2) adozione di un’architettura a transistor a canale verticale;

3) adozione della tecnologia di bonding;

4) impilamento a più strati.

2. Tecnologie di tolleranza ai guasti per l’addestramento distribuito, destinate a garantire la stabilità dell’addestramento nei cluster di calcolo intelligente su larga scala, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) tempo medio di ripristino (MTTR) del meccanismo di recupero dai checkpoint ≤ 120 secondi;

(2) rilevamento automatico dei guasti e migrazione senza interruzioni dei compiti, con interruzione visibile dell’addestramento dovuta ai guasti ≤ 30 secondi;

(3) per dimensioni tipiche del cluster, tasso di spreco di potenza di calcolo effettiva delle GPU dovuto a guasti di rete ≤ 5%.

3. Tecnologie di schedulazione efficiente della comunicazione, destinate a ottimizzare l’efficienza della comunicazione nei cluster di calcolo intelligente su larga scala, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) scalabilità lineare ≥ 98%;

(2) instradamento con riconoscimento dinamico della topologia e bilanciamento del carico tra più piani, con latenza di comunicazione end-to-end ≤ 1 microsecondo;

(3) supporto alla sovrapposizione profonda tra comunicazione e calcolo, con tasso di occultamento della comunicazione ≥ 90%.

4. Tecnologie di inferenza e schedulazione efficienti per cluster eterogenei, che nei cluster di calcolo intelligente su larga scala supportino la schedulazione unificata e l’inferenza collaborativa di chip di IA di due o più produttori diversi, comprendenti framework di schedulazione unificata della potenza di calcolo eterogenea, tecniche di addestramento collaborativo a precisione mista, ottimizzazione dell’inferenza eterogenea e gestione operativa intelligente dei cluster eterogenei, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

(1) supporto all’adattamento unificato e alla schedulazione ibrida di due o più protocolli di comunicazione ad alta velocità, con utilizzo della banda di comunicazione tra chip ≥ 90%, oppure latenza di comunicazione tra nodi lato edge ≤ 5 microsecondi;

(2) supporto alla gestione unificata di nodi di calcolo di due o più architetture diverse, con throughput del cluster di inferenza eterogeneo superiore di almeno il 30% rispetto a una soluzione con un solo tipo di chip, oppure utilizzo medio degli acceleratori di IA del cluster eterogeneo aumentato di almeno il 65%, oppure costo di inferenza ridotto di almeno il 20% rispetto a una soluzione con un solo tipo di chip, oppure tempo medio di ripristino dai guasti del cluster ≤ 10 minuti con disponibilità del cluster ≥ 99,9%;

(3) supporto alla schedulazione unificata della potenza di calcolo e all’assegnazione dei compiti tra due o più centri di calcolo intelligente distribuiti geograficamente, con efficienza di addestramento nella schedulazione interregionale ≥ 80% di quella di un singolo cluster, oppure supporto al bilanciamento del carico in tempo reale e alla migrazione dei compiti tra risorse di calcolo eterogenee in aree geografiche diverse.

Nota: per “cluster di calcolo intelligente su larga scala” si intende un insieme di calcolo con più di 10.000 acceleratori di IA in totale.

Nota: ① È vietato solo il trasferimento all’estero della titolarità; non rientrano nell’ambito della gestione i casi in cui la titolarità non è trasferita, come la concessione di licenze all’estero o l’uso delle relative tecnologie e processi per fornire servizi esternalizzati di ricerca e sviluppo e di produzione. ② Per i singoli farmaci nelle diverse fasi di ricerca e sviluppo o di produzione, le tecnologie e i processi necessari per ricerca, sperimentazione, produzione, controllo qualità, immissione in commercio e conformità nel corso della cooperazione o delle transazioni commerciali (BD) con l’estero non rientrano nell’ambito della gestione. ③ Per “piattaforma di tecnologie e processi” si intende un insieme completo di tecnologie di base comuni, riutilizzabili, frutto di una lunga attività di ricerca e sviluppo e in grado di sostenere lo sviluppo di più farmaci. Le tecnologie e i processi usati per lo sviluppo di un singolo farmaco ne sono esclusi.

Nota: ① È vietato solo il trasferimento all’estero della titolarità; non rientrano nell’ambito della gestione i casi in cui la titolarità non è trasferita, come la concessione di licenze all’estero o l’uso delle relative tecnologie e processi per fornire servizi esternalizzati di ricerca e sviluppo e di produzione. ② Per i singoli farmaci nelle diverse fasi di ricerca e sviluppo o di produzione, le tecnologie e i processi necessari per ricerca, sperimentazione, produzione, controllo qualità, immissione in commercio e conformità nel corso della cooperazione o delle transazioni commerciali (BD) con l’estero non rientrano nell’ambito della gestione. ③ Per “piattaforma di tecnologie e processi” si intende un insieme completo di tecnologie di base comuni, riutilizzabili, frutto di una lunga attività di ricerca e sviluppo e in grado di sostenere lo sviluppo di più farmaci. Le tecnologie e i processi usati per lo sviluppo di un singolo farmaco ne sono esclusi.

(1) tecnologie di potenziamento funzionale per microrganismi patogeni noti o potenziali;

(2) sistemi e processi di coltura per passaggi seriali destinati alla moltiplicazione su larga scala dei microrganismi patogeni, all’accelerazione diretta della loro evoluzione e al mantenimento stabile di specifiche caratteristiche di virulenza;

(3) tecnologie di induzione artificiale controllata di passaggi seriali che simulano il processo di evoluzione naturale.

Nota: ① Per “bersaglio completamente nuovo” si intende un bersaglio farmacologico che, a livello mondiale, non è mai stato divulgato tramite brevetti, letteratura accademica, banche dati pubbliche, documentazione tecnica di settore, conferenze accademiche o altri canali. ② Per “tecnologie di scoperta e validazione di bersagli completamente nuovi” si intendono le tecnologie usate per selezionare, individuare e confermare bersagli completamente nuovi e per individuare i siti d’azione con potenziale farmacologico.

Nota: ① Per “bersaglio completamente nuovo” si intende un bersaglio farmacologico che, a livello mondiale, non è mai stato divulgato tramite brevetti, letteratura accademica, banche dati pubbliche, documentazione tecnica di settore, conferenze accademiche o altri canali. ② Per “tecnologie di scoperta e validazione di bersagli completamente nuovi” si intendono le tecnologie usate per selezionare, individuare e confermare bersagli completamente nuovi e per individuare i siti d’azione con potenziale farmacologico.

2. Processo in letto fluidizzato a silano con capacità per singola linea ≥ 20.000 tonnellate l’anno, e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature.

Nota: le “tecnologie di produzione di wafer di silicio” comprendono codice dei programmi, modelli algoritmici di base, disegni delle apparecchiature e simili.

(1) utilizzabili per wafer solari interi o a metà, o suddivisi in più parti, con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

(2) spessore del wafer ≤ 140 micron.

2. Tecnologie di produzione di celle e moduli in perovskite e tandem, e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature, tra cui:

(1) tecnologia di celle tandem perovskite-silicio cristallino, con dimensione del wafer in produzione di massa ≥ 182 millimetri ed efficienza ≥ 30%;

(2) tecnologia di rivestimento slot-die dedicata alla perovskite, con larghezza di lavorazione ≥ 1,1 metri;

(3) tecnologia di moduli di grandi dimensioni con celle in perovskite a giunzione singola, con superficie del modulo ≥ 1 metro quadrato ed efficienza ≥ 18%;

(4) tecnologia di moduli tandem in perovskite di grandi dimensioni, con superficie del modulo ≥ 1 metro quadrato ed efficienza ≥ 28%.

2. Processo di riduzione con capacità di polisilicio per singolo reattore di riduzione ≥ 800 tonnellate l’anno, e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature.

Nota: le “tecnologie di ingegneria” comprendono la progettazione ingegneristica delle apparecchiature e degli stabilimenti, i process package e simili.

(1) soluzioni di progettazione e applicazione di forni monocristallini con diametro interno della camera del forno ≥ 1.600 millimetri;

(2) soluzioni di progettazione e applicazione di campo termico per forni monocristallini di dimensione ≥ 35 pollici;

(3) soluzioni di progettazione e applicazione di forni monocristallini con velocità di trazione ≥ 1,2 millimetri al minuto;

(4) soluzioni di progettazione e applicazione di forni monocristallini con consumo energetico a diametro costante ≤ 40 kilowatt.

2. Tecnologie di lavorazione meccanica di lingotti monocristallini di silicio per il fotovoltaico, e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature, tra cui:

(1) tecnologie di taglio e rettifica per la produzione di mezzi lingotti;

(2) tecnologie di lavorazione meccanica utilizzabili per produrre lingotti di silicio di lunghezza ≥ 720 millimetri.

3. Tecnologie di produzione di wafer fotovoltaici ultrasottili e di grandi dimensioni, e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature, tra cui:

(1) tecnologie di produzione utilizzabili per wafer rettangolari con un lato qualsiasi ≥ 182 millimetri;

(2) tecnologie utilizzabili per produrre wafer di spessore ≤ 130 micron:

1) tecnologia di taglio con filo di tungsteno da 28 micron o inferiore;

2) soluzioni di progettazione e applicazione di macchine da taglio con velocità del mandrino ≥ 6.500 giri al minuto, oppure diametro del rullo principale ≤ 120 millimetri, oppure interasse trasversale dei rulli principali ≤ 370 millimetri.

(1) tecnologie di rivestimento dedicate al fotovoltaico, mediante deposizione chimica da vapore a bassa pressione (LPCVD) e assistita da plasma (PECVD), di ossido tunnel ultrasottile e di strati di contatto passivanti selettivi in polisilicio drogato, che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) utilizzabili per wafer solari interi o a metà, o suddivisi in più parti, con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron;

3) riferito al wafer intero G12, capacità delle apparecchiature LPCVD ≥ 6.000 wafer l’ora e delle apparecchiature PECVD ≥ 6.000 wafer l’ora.

(2) tecnologie di rivestimento dedicate al fotovoltaico, mediante deposizione a strati atomici (ALD), dello strato di passivazione superficiale in ossido di alluminio, che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron;

3) riferito al wafer intero G12, capacità ≥ 12.000 wafer l’ora.

(3) tecnologie dedicate al fotovoltaico di diffusione del boro ad alta temperatura che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron;

3) riferito al wafer intero G12, capacità ≥ 4.500 wafer l’ora.

(4) tecnologie di realizzazione degli elettrodi mediante elettrodeposizione di rame per celle TOPCon che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) utilizzabili per wafer solari interi o a metà, o suddivisi in più parti, con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron.

(5) tecnologie di deposizione di silicio amorfo o microcristallino a bassa temperatura e di rivestimento PECVD dedicate al fotovoltaico che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) utilizzabili per wafer solari interi o a metà, o suddivisi in più parti, con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron.

(6) tecnologie di elettrodeposizione e di rivestimento chimico per celle XBC che soddisfino contemporaneamente le seguenti condizioni:

1) utilizzabili per wafer solari interi o a metà, o suddivisi in più parti, con ciascun lato compreso tra 182 e 230 millimetri, riferito alle dimensioni del wafer intero;

2) spessore del wafer ≤ 140 micron.

2. Tecnologie di produzione di celle in silicio cristallino a eterogiunzione (HJT), e relative tecnologie di fabbricazione delle apparecchiature, tra cui:

(1) tecnologie di deposizione di film conduttivi trasparenti a strati sovrapposti per celle a eterogiunzione, utilizzabili per lavorare wafer di spessore ≤ 110 micron, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

1) contenuto di indio nel film conduttivo trasparente ≤ 50%;

2) riferito al wafer G12, capacità ≥ 14.000 mezzi wafer l’ora.

(2) tecnologie di deposizione di film di silicio cristallino per celle a eterogiunzione, utilizzabili per lavorare wafer di spessore ≤ 110 micron, con almeno una delle seguenti caratteristiche:

1) per celle a eterogiunzione di tipo N ad alta efficienza, tasso di cristallizzazione del film ≥ 40%, oppure, riferito al wafer G12, capacità ≥ 14.000 mezzi wafer l’ora;

2) per celle a eterogiunzione di tipo P, efficienza massima di conversione ≥ 23% in condizioni di test AM1.5, oppure ≥ 20,5% in condizioni AM0.

(3) tecnologie di produzione di celle solari a eterogiunzione con rame rivestito d’argento a basso contenuto di argento, con contenuto di argento ≤ 30%.

(4) tecnologie di produzione di celle a eterogiunzione con elettrodi in rame elettrodepositato.

Nota: in questa categoria di tecnologie, per “alta efficienza” si intende un’efficienza media di conversione delle celle ≥ 25% in condizioni AM1.5, oppure un’efficienza media di conversione dei moduli in produzione di massa ≥ 22,3%.