Intel Corporation e Micron Technology hanno svelato oggi la nuova e rivoluzionaria tecnologia 3D XPoint, una memoria non volatile con le potenzialità per rivoluzionare qualsiasi dispositivo, applicazione o servizio che tragga vantaggio dall’accesso rapido a grandi insiemi di dati. Già in fase di produzione, la tecnologia 3D XPoint rappresenta un notevole passo in avanti nella tecnologia di processo della memoria ed è la prima nuova categoria di memorie dall’introduzione di flash NAND nel 1989.

Stiamo parlando di una tecnologia che combina le prestazioni, la densità, il consumo energetico, la non volatilità e i vantaggi in termini di costi di tutte le tecnologie di memoria oggi disponibili sul mercato. Qualche esempio? Questa tecnologia è fino a 1.000 volte più veloce e ha una durata di fino a 1.000 volte superiore rispetto a NAND, oltre a una densità 10 volte superiore rispetto alla memoria convenzionale.

“Uno degli ostacoli più significativi del computing è oggi costituito dal tempo richiesto al processore per accedere ai dati presenti nei dispositivi di storage a lungo termine. Questa nuova categoria di memoria non volatile costituisce una tecnologia rivoluzionaria che velocizza l’accesso a enormi insiemi di dati e rende possibili applicazioni interamente nuove” ha commentato Mark Adams, presidente di Micron.

Come possibili scenari d’uso i retailer possono impiegare la tecnologia 3D XPoint per identificare più rapidamente modelli di rilevamento di frodi nelle transazioni finanziarie, mentre i ricercatori in campo sanitario possono elaborare e analizzare set di dati più ampi in tempo reale, accelerando attività complesse come l’analisi genetica e il monitoraggio delle malattie.

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I vantaggi prestazionali di questa nuova memoria consentono agli utenti PC di interagire più velocemente con i social media e la collaborazione, oltre ad offrire esperienze più coinvolgenti con i videogiochi. Grazie alla natura non volatile della memoria, questa tecnologia rappresenta anche la scelta ideale per un’ampia varietà di applicazioni di storage a bassa latenza, perché i dati non vengono cancellati quando il dispositivo viene spento.

Scendendo nei particolari più tecnici, l’innovativa architettura cross point senza transistor crea una scacchiera tridimensionale in cui le celle di memoria risiedono all’intersezione di linee di word e linee di bit, consentendo l’indirizzamento delle singole celle. Pertanto, i dati possono essere scritti e letti in piccole dimensioni, con conseguenti processi di lettura/scrittura più veloci ed efficienti.

Grazie alla struttura ad array cross point i conduttori perpendicolari connettono 128 miliardi di celle di memoria ad alta densità. Ogni cella di memoria archivia un singolo bit di dati e ciò comporta elevate prestazioni e alta densità di bit. Le celle di memoria sono inoltre impilate in più strati e se la tecnologia iniziale archivia 128 Gb per die su due strati di memoria, in futuro sarà possibile aumentare il numero di strati di memoria migliorando ulteriormente la capacità del sistema.

La tecnologia 3D XPoint sarà disponibile in campionatura più avanti nel corso dell’anno presso clienti selezionati e Intel e Micron stanno sviluppando individualmente prodotti basati su questa tecnologia.